Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 7.2 W, 3-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 700V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 360mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 16.4nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 12.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 7.2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- 700V CoolMOS P7
Produktbeschreibung
Die Infineon 700V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können. Die neueste CoolMOS\P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten istExtrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Integrierte ESD-Schutzdiode Geringe Schaltverluste (Eoss)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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