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Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 7.2 W, 3-Pin SOT-223

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPN70R360P7SATMA1

Produkt-Nr.: P-DRB4ZN-DR3SBX

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
700V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
360mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
16.4nC
Gehäusegröße
SOT-223
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
12.5A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Die Infineon 700V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können. Die neueste CoolMOS\P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten istExtrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Integrierte ESD-Schutzdiode Geringe Schaltverluste (Eoss)

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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