Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 700V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 360mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 16.4nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 12.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 59.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- 700V CoolMOS P7
Produktbeschreibung
Die Infineon-700-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter geeignet und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen.Es unterstützt weniger magnetische Größen mit geringeren BOM-Kosten Er verfügt über eine hohe ESD-Robustheit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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