Infineon 700V CoolMOSª P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 700 V / 8.5 A 6.9 W, 3-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 700V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 600mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 10.5nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Höhe
- 1.8mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 8.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 6.9W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- 700V CoolMOSª P7
Produktbeschreibung
Der Infineon 700-V-CoolMOS-N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Schalt-Superjunction-MOSFET in Kombination mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und einem hohen Maß an Art und Benutzerfreundlichkeit.Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrigen FOM RDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss Ausgezeichnetes thermisches Verhalten Integrierte ESD-Schutzdiode Geringe Schaltverluste (Eoss)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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