Infineon 6th Generation CoolSiC Oberfläche SiC-Schottky-Diode Schottky-Diode Einfach, 650 V / 12 A, 10-Pin HDSOP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Gehäusegröße
- HDSOP
- Gleichrichter-Typ
- Schottky-Diode
- Höhe
- 2.35mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 1.25V
- Maximaler Dauerdurchlassstrom (If)
- 12A
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 64A
- Pinanzahl
- 10
- Produkt Typ
- SiC-Schottky-Diode
- Serie
- 6th Generation CoolSiC
- Spitzen-Sperrspannung periodisch (Vrrm)
- 650V
- Spitzensperrstrom (Ir)
- 92μA
Produktbeschreibung
Die Schottky-Diode der Infineon IDD-Serie stellt das doppelte DPAK vor, das erste auf der Oberseite gekühlte SMD-Gerätegehäuse, das für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation geeignet ist. Er hat einen Nennstrom von 12 A. Es bietet eine Systemlösung für Starkstrom-Hartschaltsopologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.Ermöglicht höchste Energieeffizienz Thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schottky-Dioden und Gleichrichter
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