Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 63 A 347 W, 8-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

40mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

97nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

63A