Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 360mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.9V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 13nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 9A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 41W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- 600V CoolMOS P7
Produktbeschreibung
Dieser Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist weiterhin ein Ausgleich zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.Er verfügt über eine robuste Gehäusediode Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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