Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD60R180P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRB6V8-DRSHTB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 180mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 25nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 18A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 72W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: 600V CoolMOS P7

Produktbeschreibung

Dieser Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist weiterhin ein Ausgleich zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.Er verfügt über eine robuste Gehäusediode Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit

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