Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB60R280P7ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRB6VS-DRSHST

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 280mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 18nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 12A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 53W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: 600V CoolMOS P7

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 12A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 280mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 18nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 10.02mm
Automobilstandard = Nein