Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

280mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

18nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12A

Maximale Betriebstemperatur

150°C