Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 46 W, 5-Pin ThinPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

365mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13nC

Gehäusegröße

ThinPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10A

Maximale Betriebstemperatur

150°C