Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 141 W, 8-Pin HSOF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

102mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

34nC

Gehäusegröße

HSOF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

23A

Maximale Betriebstemperatur

150°C