Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 85 W, 5-Pin ThinPAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 185mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 28nC
- Gehäusegröße
- ThinPAK
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 85W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- 600V CoolMOS CFD7
Produktbeschreibung
Der Infineon 600 V Cool MOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS7-Serie kompletzt. Cool MOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.Ultraschnelle Gehäusediode Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr) Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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