Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 59 W, 5-Pin ThinPAK

Name: Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 59 W, 5-Pin ThinPAK
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPL60R285P7AUMA1

Produkt-Nr.: P-DRB4ZM-DR3SBW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 285mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.9V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 18nC
Gehäusegröße: ThinPAK
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 13A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 59W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 5
Produkt Typ: MOSFET
Serie: 600V CoolMOS CFD7

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 13A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = ThinPAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 285mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 18nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 8.1mm
Automobilstandard = Nein