Infineon 5th Generation thinQ!TM Oberfläche Diode SiC-Schottky Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200 V / 8 A, 3-Pin TO-247

Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Diodengeneration 5 1200 V, 8 A in einem DPAK Real2pin-Gehäuse stellt eine führende Technologie für SiC Schottky-Dioden dar. Die bereits mit G2 eingeführte Dünnwafer-Technologie wird jetzt mit einer neuen, zusammengeführten pn-Verbindung kombiniert, die die Diodenstoßstrom-Fähigkeiten verbessert. Das Ergebnis ist eine Serie von Produkten, die marktführende Effizienz und mehr Systemzuverlässigkeit zu einem attraktiven Kostenpunkt bieten.Klassenbeste Durchlassspannung (VF) Keine Rückgewinnungsladung Leichte positive Temperaturabhängigkeit von VF Erstklassige Stoßstrombelastbarkeit Exzellente Wärmeleistung