Infineon 5th Generation CoolSiCTM Oberfläche Diode Schottky-Diode Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200 V / 20 A, 3-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Siliziumkarbid-Schottky-Diode
- Gehäusegröße
- TO-247
- Gleichrichter-Typ
- Schottky-Diode
- Höhe
- 21.1mm
- Länge
- 16.13mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 2.3V
- Maximaler Dauerdurchlassstrom (If)
- 20A
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 190A
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- Diode
- Serie
- 5th Generation CoolSiCTM
- Spitzen-Sperrspannung periodisch (Vrrm)
- 1200V
Produktbeschreibung
Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Diodengeneration 5 1200 V, 20 A in einem TO-247-3-Gehäuse stellt eine führende Technologie für SiC Schottky-Dioden dar. Die bereits mit G2 eingeführte Dünnwafer-Technologie wird mit einer zusammengeführten pn-Verbindung kombiniert, die die Diodenstoßstromfähigkeiten verbessert. Das Ergebnis ist eine Serie von Produkten, die marktführende Effizienz und mehr Systemzuverlässigkeit zu einem attraktiven Kostenpunkt bieten.Klassenbeste Durchlassspannung (VF) Keine Rückgewinnungsladung Leichte positive Temperaturabhängigkeit von VF Erstklassige Stoßstrombelastbarkeit Exzellente Wärmeleistung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schottky-Dioden und Gleichrichter
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