Infineon 5th Generation CoolSiCTM 1200V Oberfläche SiC-Diode Schottky-Diode Einfach, 1200 V / 20 A, 2-Pin TO-247

Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Dioden erzeugen 5 1200 V, 20 A in einem echten 2-poligen TO-247-Gehäuse für einfachen Austausch von bipolaren Si-Dioden. Die erweiterten Kriech- und Sicherheitsabstände von 8,7 mm im neuen Gehäuse bieten zusätzliche Sicherheit in Umgebungen mit hoher Verschmutzung. In Kombination mit einem Si-IGBT oder Super-junction-MOSFET, z. B. in einer Gleichrichterstufe in Wien oder einer PFC-Boost-Stufe, die in 3-phasigen Konvertierungssystemen verwendet wird, erhöht eine CoolSiC-Diode den Wirkungsgrad um bis zu 1 % im Vergleich zur nächstbesten Si-Diodenalternative.Kein Rückgewinnungsstrom, keine Rückstellspannung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur Enge Durchlassspannungsverteilung Toleriert hohe Stoßstromwerte