Infineon 5th Generation CoolSiCTM 1200V Oberfläche Diode Schottky-Diode Siliziumkarbid-Diode, 1200 V / 10 A, 2-Pin

Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Dioden der Generation 5 1200 V, 10 A sind jetzt in einem echten 2-poligen TO-247-Gehäuse für den einfachen Austausch bipolarer Si-Dioden erhältlich, die heute häufig verwendet werden. Die erweiterten Kriech- und Sicherheitsabstände von 8,7 mm im neuen Gehäuse bieten zusätzliche Sicherheit in Umgebungen mit hoher Verschmutzung. In Kombination mit einem Si-IGBT oder Super-junction-MOSFET, z. B. in einer Gleichrichterstufe in Wien oder einer PFC-Boost-Stufe, die in 3-phasigen Konvertierungssystemen verwendet wird, erhöht eine CoolSiC-Diode den Wirkungsgrad um bis zu 1 % im Vergleich zur nächstbesten Si-Diodenalternative.Kein Rückgewinnungsstrom, keine Rückstellspannung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur Enge Durchlassspannungsverteilung Toleriert hohe Stoßstromwerte Echtes zweipoliges Gehäuse mit 8,7 mm Kriechstrecke und Sicherheitsabstand