Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 7.6 A 57 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 7.6 A 57 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD50R500CEAUMA1

Produkt-Nr.: P-DRCF4N-DRVMZF

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: N
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 500V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 500mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.85V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 18.7nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7.6A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 57W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: 500V CoolMOS CE

Produktbeschreibung

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit Einfach zu verwenden/zu treiben Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

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Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 2500Mengenintervall: 2500

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