Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.8 A 25 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

500V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.4Ω

Durchlassspannung (Vf)

0.83V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.2nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.8A

Maximale Betriebstemperatur

150��C