Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 2.2 A 33 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

500V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2Ω

Durchlassspannung (Vf)

0.83V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.2A

Maximale Betriebstemperatur

150°C