Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort 19 bit, SOIC 32-Pin

Technische Daten

Adressbusbreite

19bit

Anzahl der Bits pro Wort

8

Anzahl der Wörter

512K

Betriebstemperatur min.

65°C

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

1mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Versorgungsspannung

6V

Minimale Versorgungsspannung

0.5V

Organisation

512k x 8