Infineon 4 MB SRAM 512K 1 MHz, 8 / Wort 8 bit, SOIC 32-Pin

Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V. PIN kompatibel mit CY62148B. Extrem niedrige Standby-Leistung Typischer Standby-Strom: 1 μA Maximaler Standby-Strom: 7 μA (Industrie) Extrem niedrige Wirkleistung Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen Automatische Abschaltung bei Deaktivierung Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung Erhältlich in Pb-freien 32-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II- und 32-poligen Small Outline Integrated Circuit (SOIC)[1]-Gehäusen