Infineon 4 MB SRAM 256K 100 MHz, 16 / Wort 16 bit, SOJ 44-Pin

Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns / 15 ns Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2] Niedriger Wirk- und Standby-Strom Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch) Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch) Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V 1,0-V-Datenspeicherung TTL-kompatible Ein- und Ausgänge Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse