Infineon 1 MB SRAM 128k 104 MHz, 8 / Wort 8 bit, SOIC 16-Pin
Technische Daten
- Adressbusbreite
- 8bit
- Anzahl der Bits pro Wort
- 8
- Anzahl der Wörter
- 128k
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Maximale Betriebstemperatur
- 85°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 2.6V
- Minimale Versorgungsspannung
- 2.4V
- Montageart
- Oberfläche
- Organisation
- 128K x 8 bit
- Produkt Typ
- SRAM
- Speicher Größe
- 1MB
- Taktfrequenz max.
- 104MHz
- Timing Typ
- Synchron
- Zugriffszeit max.
- 15ns
Produktbeschreibung
Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- SRAM
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