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Infineon 1 MB SRAM 128k 104 MHz, 8 / Wort 8 bit, SOIC 16-Pin

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: CY14B101PA-SFXI

Produkt-Nr.: P-DRHKTP-DRW5TH

Technische Daten

Adressbusbreite
8bit
Anzahl der Bits pro Wort
8
Anzahl der Wörter
128k
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
SOIC
Maximale Betriebstemperatur
85°C
Maximale Versorgungsspannung
2.6V
Minimale Versorgungsspannung
2.4V
Montageart
Oberfläche
Organisation
128K x 8 bit

Produktbeschreibung

Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
SRAM

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