DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 850 mA 1.36 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.45mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.95V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

2.9nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

850mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C