DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.98 A 1.35 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 80mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.82V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 9nC
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- Typ P, Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.98A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.35W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Vollbrücke
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.98A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 80mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = 150°C
Transistor-Konfiguration = Vollbrücke°C
Normen/Zulassungen = RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043260914
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