DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin

Name: DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: ZXMHC3A01T8TA

Produkt-Nr.: P-DRLBX2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 330mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.95V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 3.9nC
Höhe: 1.6mm
Kabelkanaltyp: Typ P, Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.1A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.7W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Transistor-Konfiguration: Vollbrücke

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 330mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 3.9nC
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Länge = 6.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Automobilstandard = Nein