DiodesZetex Vollbrücke Typ N, Typ P-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 1.8 A 1.36 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

350mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

3.2nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.8A

Maximale Betriebstemperatur

150°C