DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.9 A 9.5 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

100mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.89V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

29.6nC

Gehäusegröße

TO-252

Höhe

2.39mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9.9A