DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 160 mA 1.73 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

12V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

20mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

1.45mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

160mA

Länge

4.9mm