DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 1.6 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.25Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

11.5nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Maximale Betriebstemperatur

150°C