DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 0.38 W, 6-Pin US
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.5Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 0.7nC
- Gehäusegröße
- US
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.38W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = US
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.5Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 0.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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