DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

12V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

41mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

1.45mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10.7A

Länge

4.9mm