DiodesZetex Oberfläche Transistor PnP -40 V / -500 mA, X1-DFN1006-3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 150
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- -6V
- Gehäusegröße
- X1-DFN1006-3
- Höhe
- 1mm
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- -40V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- -40V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- -500mA
- Länge
- 0.5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1000mW
- Montageart
- Oberfläche
- Polarität des Transistors
- PnP
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Geringe Sättigung
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = -500mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = -40V
Gehäusegröße = X1-DFN1006-3
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Geringe Sättigung
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = -40V
Emitter-Basisspannung max. VEBO = -6V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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