DiodesZetex Oberfläche Transistor PnP -40 V / -200 mA, US 6-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

30

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

-5V

Gehäusegröße

US

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

-40V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

-40V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

-200mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

250MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

200mW