DiodesZetex Oberfläche Transistor PnP -150 V / -200 mA, US 6-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

50

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

-5V

Gehäusegröße

US

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

-160V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

-150V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

-200mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

300MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

200mW