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DiodesZetex Oberfläche Transistor NPN + PNP 100 V / 3 A, PowerDI5060-8 4-Pin

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DXTC3C100PDQ-13

Produkt-Nr.: P-DRKD65

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
250
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
7V
Gehäusegröße
PowerDI5060-8
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
100V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
100V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
3A
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
250MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
1.1W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 3A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 100V
Gehäusegröße = PowerDI5060-8
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Geringe Sättigung
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 100V
Maximale Verlustleistung Pd = 1.1W
Pinanzahl = 4°C
Normen/Zulassungen = RoHSmm
Automobilstandard = AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren

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