DiodesZetex Oberfläche Transistor NPN + PNP 100 V / 3 A, PowerDI5060-8 4-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 250
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 7V
- Gehäusegröße
- PowerDI5060-8
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 100V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 100V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 3A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 250MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Polarität des Transistors
- NPN + PNP
- Produkt Typ
- Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Geringe Sättigung
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 3A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 100V
Gehäusegröße = PowerDI5060-8
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Geringe Sättigung
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 100V
Maximale Verlustleistung Pd = 1.1W
Pinanzahl = 4°C
Normen/Zulassungen = RoHSmm
Automobilstandard = AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
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