DiodesZetex Oberfläche Transistor NPN 40 V / 200 mA, US 6-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

30

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

6V

Gehäusegröße

US

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

60V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

40V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

200mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

300MHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

200mW