DiodesZetex Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 620 mA 1 W, 6-Pin SOT-563
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 6Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.4V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 0.3nC
- Gehäusegröße
- SOT-563
- Kabelkanaltyp
- Typ P, Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 620mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 620mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SOT-563
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 6Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1W
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 0.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043287201
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