DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5.5 A 2.1 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.5mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 5.5A
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.1W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043308135
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