DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.8 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

80mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.85V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

44nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.8A

Maximale Betriebstemperatur

150°C