DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 5.8 A 2.14 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 45mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -0.7V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 14nC
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 5.8A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.14W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5.8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 45mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.14W
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043802862
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