DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 35 V Erweiterung / 9.6 A 8.9 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 35V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 65mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 8.8nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 9.6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 8.9W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 9.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 35V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 65mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 8.9W
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 2.39mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043120621
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