DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.6 A 1.2 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

41mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.7V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

7.6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C