DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 1.3 W, 6-Pin TSOT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

190mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.75V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

5.4nC

Gehäusegröße

TSOT

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C