DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.27 W, 6-Pin TSOT
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 140mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 4nC
- Gehäusegröße
- TSOT
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3.4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.27W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TSOT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 140mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 0.8V
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Länge = 2.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043265322
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