DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 8.6 A 880 mW, 8-Pin TSSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

16.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.65V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

16.5nC

Gehäusegröße

TSSOP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8.6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C