DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 540 mA 225 mW, 6-Pin SM
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 900mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.4V
- Gehäusegröße
- SM
- Höhe
- 1.3mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 540mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 225mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 540mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SM
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 900mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 225mW
Maximale Betriebstemperatur = -65°C
Länge = 3.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043802039
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