DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2.14 W, 6-Pin WDFN

Name: DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 10 A 2.14 W, 6-Pin WDFN
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN2013UFX-7

Produkt-Nr.: P-DP7J7R

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Source-spannung max (Vgs): 8, -8V
Gehäusegröße: WDFN
Höhe: 0.8mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 10A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2.14W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: MOSFET
Transistor-Konfiguration: Isoliert

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 10A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = WDFN
Montageart = SMD
Pinanzahl = 6
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.14W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 2.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2

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