DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 6.6 A 1.7 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

55mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.7V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10.4nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6.6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C